Pósa László az Energiatudományi Kutatóközpont Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézetének tudományos munkatársa, és a BME Fizika Tanszék részállású tudományos munkatársa. PhD fokozatát 2019-ben a BME Fizika Tanszéken szerezte Halbritter András témavezetése mellett. PhD-munkája az Atomi és Molekuláris Elektronika kutatócsoport tevékenységét kibővítette az on-chip nanoáramkörök felé, melyeknél az elektronsugárlitográfiával létrehozott alapstruktúrából újszerű elektroformázási eljárásokkal hozunk létre közel atomi méretskálájú aktív tartománnyal rendelkező eszközöket. Ezen elvet kihasználva a Baseli Egyetemel és a Svájci EMPA kutatóintézettel együttműködve részt vett nanométeres skálájú grafén nanorések fejlesztésében, majd rezisztív kapcsolási jelenségeket vizsgált közel atomi méretskálájú nanofabrikált grafén/SiO2/grafén és Ag/Ag2S/Ag eszközökön. Jelenleg a nanofabrikált rezisztív kapcsolóeszközök fejlesztését koordinálja a kutatócsoportban.

Válogatott publikációk:

A Rational Fabrication Method for Low Switching-Temperature VO2
L. Pósa, Gy. Molnár, B. Kalas, Zs. Baji, Zs. Czigány, P. Petrik, J. Volk
Nanomaterials 11, 212 (2021)

Multiple Physical Time Scales and Dead Time Rule in Few-Nanometers Sized Graphene–SiOx-Graphene Memristors,
L. Pósa, M. El Abbassi, P. Makk, B. Sánta, C. Nef, M. Csontos, M. Calame, A. Halbritter,
Nano Letters 17, 6783 (2017)

High-yield fabrication of nm-size gaps in monolayer CVD graphene
C. Nef, L. Pósa, P. Makk, W. Fu, A. Halbritter, C. Schönenberger, M. Calame
Nanoscale 6, 7249 (2014)

From electroburning to sublimation: substrate and environmental effects in the electrical breakdown process of monolayer graphene
M. El Abbassi, L. Posa, P. Makk, C. Nef, K. Thodkar, A. Halbritter, M. Calame
Nanoscale 9, 17312 (2017)

Asymmetry-induced resistive switching in Ag-Ag2S-Ag memristors enabling a simplified atomic-scale memory design
A. Gubicza, D.Zs. Manrique, L. Pósa, C.J. Lambert, G. Mihály, M. Csontos, A. Halbritter,
Scientific Reports 6, 30775 (2016)